这是《论华国信息技术产业发展》一书中的原话，而这书发表于2009年。
路阳在穿越前，曾经看到过一条让他震惊的消息，计划用这个主题来做一期视频，遗憾的是文案才写到一半，他便穿越了。
而这条消息跟常江存储有关，那就是常江存储已完成232层NANd闪存量产，领先于三兴、美光、海力士等国外巨头，作为全球第一家实现200层以上NANd闪存量产的企业，2022年，其市场份额还不到5%。
闪存，即Flash memory，是一种非易失性记忆体。保存在闪存内部的数据，在断电的情况下，只要保存得当，可以保存10年以上。
我们常用的U盘、各种类型的固态硬盘，手机闪存，相机内存、Sd卡，tF卡等等，使用的都是闪存芯片，华国对闪存芯片的使用量早已到达恐怖的量级。
这次的招商会议，常江存储是路阳亲自安排人邀请的，目的有两个，一是完成自己的愿望，第二个则是测试想系统在半导体芯片的下游应用端，是否管用，目前脑海中的科技树点亮的几乎都是上游的技术。
闪存芯片跟手机芯片不同，并不是制程越高越好，最重要的是保证数据的稳定性，在工艺达到15，16纳米后NANd闪存的可靠性就会断崖式的下跌，所以闪存芯片的发展，靠卷制程的方式提高性能是走不通的。
想要提高固态硬盘的性能，就必须换一种方法，传统的办法是把芯片做在平面上展开，显然这个办法存在上限，于是就有了3d-NANd堆叠技术，像叠叠乐一样把闪存芯片堆积起来。
这方面各大厂商都有其独家技术，三兴叫做V-NANd，东芝跟闪迪则是用bicS，路阳记得最清楚的就是常江存储的独家堆叠技术xtag，他并不清楚现在的常江存储做到了多少层。
闪存具有存储与读写两个基础功能，其它厂商通常都会把读写单元和存储单元设计在一颗晶圆上，而常江存储走的路与他们都不同。
常江存储非常聪明的在两颗晶圆上制造两种不同的电路，然后再把他们拼接起来，顺便把其中数十亿个金属通道给连好，这样做的优点是显而易见的。
为了保证数据的稳定性，存储单元的制程不能超过16纳米，但是保证数据读写速度的读写单元却要求制程越高越好，这样就造成了设计上的矛盾，xtag技术有效的解决了这个矛盾。
在xtag技术的帮助下，读写单元和存储单元可以分开来生产，这意味着这两款芯片可以分开来设计与生产，存储单元使用低制程，读写单元使用高制程，最后再将两者连接起来。
常江存储的这套研发方案，不但缩隶个芯片的面积，让生产的成本降低，同时还改变了整个闪存的生产流程，研发成本与周期都大幅度降低。
招商会第三，路阳单独约见了常江存储的陈长义，跟他一道前来的还有公司的技术总监周明山，两人怀着好奇的心情走进路阳的办公室。
“陈总您好，久仰大名，这位是？”路阳起身迎接。
陈长义45岁，有过十几年国外半导体企业的工作经历，回国后曾在京大微电子研究所担任副教授，前年开始出来创业，见路阳如此客气，赶紧介绍道。
“这位是周明山，我们公司的技术总监！”
三人介绍结束后，路阳让人送来茶水糕点，“冒昧请二位前来，一是想多了解下常江存储，二是想向陈总多多学习，今没有其它的安排，我们正好可以聊聊。”
接到邀请后的两人立刻取消了机票，路阳的邀请可不多见，能与华芯的董事长交好，一定能给常江存储带来更多的发展契机。
陈长义道，“路总太客气了，现在业内多少人想拜访路总都找不到门路，能有这个机会，是我们的荣幸。”
周明山比陈长义年轻几岁，“不知路总是想了解哪方面的信息？”
搞研发的一向直截帘，路阳很喜欢这种交流方式，“不知贵公司现在的闪存技术做到了多少层？”
陈长义笑道，“看来路总也关心存储芯片啊，常江存储今年才推出了xtag技术，目前还在攻克32层，如果有了华芯的光刻机，32层突破是板上钉钉的事。”
“你们的芯片现在是什么制程？”
周明山介绍道，“目前使用的还是45纳米级别的制程，但是量，没有企业愿意生产，我们只能用岛国的光刻机来做。”
路阳在心暗自思索，“原来2018年才推出的技术啊！以岛国光刻机的性能，45纳米对他们来良品率都不会太高，难怪才32层。”
常江存储刚成立的几年是非常困难的，每次突破都