，彼此之间就不能做的很近，但如果相邻金属线做在两层不同的光掩模版上的话，彼此之间就可以非常靠近。

    这样，只需要把靠近的金属分布在两层不同的光掩模板上，就可以达到想要的效果。

    另一种SAdp（自对准双重成像技术）。

    先通过较低精度的光刻，做出突起的光刻胶保护层（mandrel）。

    再在“mandrel”的表面和侧面沉积一层厚度相对比较均匀的薄膜垫片，使用离子刻蚀工艺把沉积的垫片材料再刻蚀掉。由于“mandrel”侧壁的几何效应，沉积在图形两侧的晶圆材料会残留下来。垫片图形的间距是”mandrel”间距的一半，从而实现了空间图形密度的倍增。

    理论上来45纳米精度的dUV光刻机可以通过两次曝光生产7纳米制程的芯片，28纳米精度的dUV光刻机单次曝光就可以实现，无论是哪种方案，都需要研发人员的评估。

    这方面路阳可以是门外汉，但有廖老把关，只要设备能正常运行起来，无论结果如何，系统这边应该都会给出优化方案。

    这便是路阳的计划，尽快让设备动起来，让系统去纠错，而且系统给的优化方案，在技术上会更先进。